Di bilik pembakaran fotorezist, perubahan suhu sebanyak 0.5°C semasa proses pembakaran boleh menyebabkan bahan yang telah diproses menjadi tidak berguna. Kelembapan yang tinggal pula akan menyebabkan masalah seperti ketidaksempurnaan permukaan, dan kecacatan lain yang akan muncul di kemudian hari, lalu menimbulkan kos tambahan. Kami telah mencipta alat untuk menghilangkan kelembapan pada wafer, agar faktor ini tidak mempengaruhi kualiti wafer tersebut.
Apa yang penting dari segi teknikalnya
Alat ini menggunakan teknologi inframerah gelombang pendek, yang direka untuk pemanasan yang cepat pada permukaan wafer. Kestabilan suhu pada wafer adalah sekitar ±0.1°C, dan prestasi alat ini dapat diukur secara konsisten untuk setiap kumpulan wafer yang diproses. Alat ini boleh digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100, dengan laluan optik yang tertutup serta bahan-bahan yang kurang mengeluarkan gas, agar jumlah zarah debu tetap rendah. Prestasi alat ini tetap stabil selama lebih dari 5,000 jam, dengan penurunan pengeluaran tenaga kurang dari 5%. Dengan demikian, kawalan suhu tetap konsisten dari satu syif ke syif yang lain.
Mengapa alat ini berkesan
Alat ini berfungsi untuk menghilangkan kelembapan sebelum dan semasa proses pembakaran. Ia juga sesuai untuk proses pembakaran jenis lembut dan keras, dengan profil pemanasan yang dapat diramalkan. Respons alat ini sangat cepat, sehingga masa pemanasan dapat dikurangkan, waktu siklus pun menjadi lebih singkat, dan dimensi-komponen wafer tetap memenuhi spesifikasi yang ditetapkan. Dengan demikian, kawalan dimensi wafer menjadi lebih baik, kerja-kerja pembaikan menjadi lebih sedikit, dan penggunaan tenaga pun berkurangan. Reka bentuk alat ini disesuaikan mengikut standard peralatan semikonduktor antarabangsa, dan ia boleh digunakan tanpa perlu mengubah keseluruhan sistem pengolahan wafer.
Beberapa nota praktikal
Semasa pemasangan, pastikan antaramuka alat, saluran kuasa, dan mekanisme pengesanan selaras dengan stesen pembakaran yang sudah ada. Pastikan bahagian optik alat tetap bersih, dan beban haba yang digunakan sesuai dengan reka bentuk bilik pembakaran. Lakukan penyesuaian pada tetapan alat mengikut sifat kimia fotorezist dan lapisan film yang digunakan.