Trong quá trình nung phim kháng quang, sự thay đổi nhiệt độ 0,5°C cũng có thể khiến toàn bộ sản phẩm trở thành phế phẩm. Hơi ẩm còn sót lại? Đó chính là nguyên nhân gây ra các khuyết tật như vết ố trên bề mặt wafer, hoặc sự biến dạng của khuôn mẫu – những khuyết tật xuất hiện muộn nhưng lại gây thiệt hại lớn ngay từ đầu. Chúng tôi đã chế tạo máy loại bỏ hơi ẩm dành cho wafer nhằm loại bỏ yếu tố này, ngay tại điểm mà wafer tiếp xúc với nhiệt.
Những yếu tố quan trọng về mặt kỹ thuật:
Đây là thiết bị sử dụng bức xạ hồng ngoại tần số cao, được thiết kế để gia nhiệt nhanh và đồng đều trên bề mặt wafer. Mức độ đồng đều về nhiệt độ trên toàn bộ bề mặt wafer dao động trong khoảng ±0,1°C. Khả năng lặp lại quy trình cũng rất cao, không phụ thuộc vào các yếu tố ngẫu nhiên. Thiết bị này có thể hoạt động trong môi trường sạch cấp độ 1–100, với đường truyền ánh sáng được đóng kín và vật liệu ít giải phóng khí, nhằm tránh sự gia tăng số lượng hạt bụi. Hiệu suất hoạt động của thiết bị duy trì ổn định trong hơn 5.000 giờ, với mức giảm nhiệt độ dưới 5%, giúp kiểm soát nhiệt độ một cách chính xác.
Tại sao thiết bị này hiệu quả?
Thiết bị này giúp loại bỏ hơi ẩm trước và trong quá trình nung phim kháng quang. Nó hỗ trợ cả quy trình nung mềm lẫn quy trình nung cứng, với độ chính xác cao. Thời gian xử lý được rút ngắn, và các kích thước quan trọng của wafer vẫn giữ nguyên trong giới hạn cho phép. Nhờ đó, việc kiểm soát kích thước wafer trở nên dễ dàng hơn, số lần sửa chữa giảm đi, và chi phí năng lượng cũng giảm bớt. Thiết kế của thiết bị này tuân thủ các tiêu chuẩn quốc tế về thiết bị bán dẫn, và có thể được tích hợp vào hệ thống hiện có mà không cần phải tái thiết lập toàn bộ hệ thống.
Một vài lưu ý thực tế:
Khi lắp đặt, cần đảm bảo rằng giao diện kết nối, đường dây điện và các bộ phận liên kết phù hợp với trạm nung hiện có. Cần giữ cho bộ phận quang học sạch sẽ, và điều chỉnh mức nhiệt phù hợp với thiết kế của buồng nung. Bạn nên lên lịch thay đổi thiết bị trong khoảng thời gian bảo trì định kỳ, và điều chỉnh các thông số sao cho phù hợp với loại phim kháng quang và cấu trúc lớp vật liệu trên wafer.