Bóng đèn phát xạ hồng ngoại gần (NIR)

Tue, 09 Jun 2026 03:29:54 +0800

Trên sàn sản xuất, sự sai lệch 0.2°C trong quá trình nung photoresist không phải là một biến động nhỏ. Đây là một lô hàng bị loại bỏ. Độ đồng đều nhiệt trên bề mặt wafer quyết định kiểm soát độ rộng nét, và ngân sách nhiệt phải chính xác—mỗi lần chạy.

Những yếu tố kỹ thuật quan trọng

Bóng phát phát gần hồng ngoại (NIR) của chúng tôi cung cấp khả năng tập trung nhiệt dưới mức milimét và trường nhiệt ổn định, có thể lặp lại. Chúng tôi điều chỉnh phổ để phù hợp với sự hấp thụ trong lớp photoresist và dưới nền substrat, giúp năng lượng tập trung chính xác tại vị trí cần thiết—mà không làm quá nhiệt các phần cứng xung quanh.
Phản hồi nhanh giúp kiểm soát vòng kín được chặt chẽ hơn. Chúng tôi giữ được độ đồng đều trên mặt phẳng wafer trong các dung sai nghiêm ngặt, và sự ổn định đầu ra duy trì tốt hơn 1% trong hàng nghìn giờ. Vật liệu và thiết kế phù hợp với phòng sạch giảm thiểu phát sinh hạt bụi, tránh ảnh hưởng đến tỷ lệ thu hoạch trong môi trường Class 1–100.

(NIR) on The Infrared Heating Company

Bóng đèn phát xạ hồng ngoại gần (NIR)

Những yếu tố kỹ thuật quan trọng