บนพื้นผิวของ wafer นั้น คุณจะสามารถเรียนรู้ได้อย่างรวดเร็ว: การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิในระหว่างการอบเพียงครึ่งองศาเท่านั้น ก็สามารถทำให้ขนาดของ wafer...

ในกระบวนการลิโธกราฟี แม้ว่าอุณหภูมิจะเปลี่ยนแปลงไปเพียง 1°C ระหว่างขั้นตอนการอบแผ่นวัสดุโฟโตรีซิสต์...